مشخصه یک فوتوترانزیستور
در ادامه مبحث Photoresistor ها که در مورد مقاومت نوری و فوتو ترانزیستورها گفتگو شد اکنون می خواهیم مقدار مناسب مقاومت RL را بیابیم. قبل از شروع محاسبات ابتدا چند مشخصه یک فوتوترانزیستور را که در datasheet موجود است بررسی می کنیم:
1. جریان کلکتور در تاریکی : Id (Collector Dark Current) مقدار معمولی آن در حدود چند صد نانوآمپر است، در مورد RS-05FS که بعدا معرفی خواهد شد حداکثر uA 0.2 است.
2. جریان نشتی : Ill (Leakage Current) مقدار متداول آن نیز در حدّ جریان تاریکی است.
3. جریان روشنایی : Il (Light Current) معمولا مقدار آن بسیار بیشتر از Id و Ill است.
اکنون می توانیم مقدار مناسب RL را بیابیم:
در محاسبه RL ابتدا به مقدار حداکثر ولتاژ منطقی که از سنسور می خواهیم توجه می کنیم، اگر این ولتاژ را با VIH نشان دهیم، با توجه به این نکته که در حالت تاریکی جریانی که از کلکتور فوتوترانزیستور می گذرد Ill + Id است، بیشینه پتانسیل خروجی از این قسمت , VOH , برابر است با:
VOH=Vcc-RL*( Id + Ill)
اکنون این ولتاژ باید در رابطه زیر صدق کند:
VIH
RL < ( Vcc-VIH ) / ( Id + Ill )
این کران بالایی برای RL را یافتیم. در مورد هر سنسور دیگر با مراجعه به datasheet و با توجه به خواسته هایمان می توانیم مدار مورد نیاز را طراحی کنیم.
اکنون تعدادی از این مشخصات و وابستگی آن ها را به یکدیگر و به شرایط محیط در مورد سنسور RS-05FS که ساختاری مشابه آن چه گفته شد دارد می بینیم:
مدارهای تقویت کننده ساده:
این موضوع که سنسورها در برابر تغییرات محیط عکس العمل نشان می دهند، در بسیاری از مواقع فوق العاده مفید است، اما در برخی اوقات این عکس العمل چندان محسوس نیست، در این گونه موارد برای استفاده مناسب، از تقویت کننده هایی استفاده می کنیم در بیشتر موارد با توجه به نوع کاربرد، از تقویت کننده های خطی استفاده می کنیم.شاید ساده ترین نوع این تقویت کننده ها همان چیزی باشد که تحت عنوان دارلینگتون دیدیم در شکل زیر دو نوع از این پل را می بینیم، در قسمت a یک پل را با استفاده از ترانزیستور NPN و در قسمت b یک پل را با استفاده از ترانزیستور PNP می بینیم:
علاوه بر این، در مدارهای تقویت کننده بسیاری از تقویت کننده های عملیاتی (op-amp) استفاده می شود که دو نوع متداول آن را می بینیم:
ادامه دارد...
تهیه و تنظیم: سیدخاموشی
