صفحه ها
دسته
لينکستان
آرشیو
آمار وبلاگ
تعداد بازدید : 128093
تعداد نوشته ها : 262
تعداد نظرات : 27
Rss
طراح قالب
موسسه تبیان

شرکت آی‌بی‌ام و شرکای وی(ای‌ام‌دی، فری‌اسکیل، اس‌تی‌میکروالکترونیک، توشیبا و دانشگاه آلبانی) اعلام کرده‌اند که نخستین حافظة دسترسی تصادفی پایا(SRAM) را که از فناوری‌ گره ۲۲ نانومتری بهره می‌گیرد، ساخته‌اند. این افزاره در بخش تحقیقات ۳۰۰ میلی‌متری این شرکت واقع در شهر آلبانی ایالت نیویورک، ساخته شده‌است.

 

سلول حافظه SRAM با فناوری گیت فلزی K- بالای ۳۲ نانومتری


دوشنبه دوم 10 1387
X