فلش مموری، كوچك اما پركاربرد
حافظه های الكترونیكی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش وپرطرفدار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یك منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می كند . به این معنی كه در آنها هیچ قطعه متحركی به كار نرفته و تمام كارها توسط مدارات الكترونیكی انجام می شود . در مقابل درون دیسك های سخت چندین قسمت متحرك وجود دارد كه این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .
قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراكم شده كه در دوربین های دیجیتالی به كار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و كارت های حافظه كه در كنسول های بازی به كار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می كنند . در این قسمت به فناوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی كوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الكتریكی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبكه ای منظم را پدید می آورند . در این شبكه هر بخش كوچك دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر كدام از این بخش ها یك سلول حافظه نامیده می شود . هر كدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر كدام از این سلول ها توسط لایه های اكسید از دیگر سلول ها جدا می باشد .
درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی كه ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ۱ می باشد. Tunneling: این روش برای تغییر دادن مكان الكترون های ایجاد شده در Floating gate بكار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الكترونیكی بین ۱% تا ۱۳ ولت می باشند كه این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود كه این ترانزیستور مشابه یك تفنگ الكترونی وارد عمل شود . این تفنگ الكترونی ، الكترون ها را به خارج لایه اكسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود .
در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می كند . اگر مقدار این سیگنال كه از میان دو ترانزیستور می گذرد كمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ثبت می شود . ذكر این نكته ضروری است كه این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ۱ هستند . با این توضیحات ممكن است فكر كنید كه درون رادیو خودروی شما یك حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیویی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به كلی با Flash memory فرق می كند .
این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یك منبع الكتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی كه حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می كنند . زمانی كه شما اتومبیل خود را خاموش می كنید جریان بسیار كمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار كم برای حفظ اطلاعات شما كافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا كردن سیم برق كلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود . امروزه این فناوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد كه تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ۴%گیگا بایت در فضایی به اندازه یك سانتی متر مربع هستیم . هم اكنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار كوچك در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار دارد .
يکشنبه 2/10/1386 - 20:48
پسندیدم 0
UserName